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  • 氮化镓外延晶圆

GaN-新型宽禁带半导体材料

n 氮化镓（GaN）是一种新型宽禁带半导体材料，也被成为继Si、GaAs之后的第三代半导体材料。

 

n 其具有宽禁带、高击穿电场、高饱和载流子速度、高迁移率、低本征载流子浓度及直接禁带半导体结构。

数据分析

GaN器件在日常生活中的应用

u 作为新型的宽禁带半导体材料，GaN在光电、微波及功率应用中具有显著优势

l氮化镓功率器件尚处于起步阶段，发展前景良好。

l截止目前，氮化镓器件在光电产业已经获得了令人瞩目的成功。

l氮化镓微波器件市场逐渐成熟，增长速度迅速。